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产品展示

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产品型号:

EBE35A

主要特点:

超高真空兼容

蒸发温度最高可达3000℃

精确的线性推进:0.01mm精确度,25mm行程,专利设计

专利设计内置挡板,不受空间限制完全打开

可靠的束流监控,有效避免外界电磁场影响

填料方便快速

主要应用:

MBE系统

蒸发难熔金属:Mo, Nb, Ta, W, Zr等

半导体材料:Si, Ge等


技术参数:

E-Beam蒸发源尺寸标注_副本.jpg

安装法兰: NW35CF(CF2.75″)

烘烤温度: 200℃

腔内直径: 34mm

腔内长度: 210mm 标准长度,170mm-400mm 可选长度

源数量: 1

样品类型: 棒材,颗粒,粉末(可供坩埚)

冷却方式: 内部水冷, 1L/min

加速电压: 0-2500V

束流发散度: ±6°

蒸发温度: >3000℃

坩埚尺寸: 0.1cc, 0.15cc

坩埚材料: W, Mo, Ta

棒材尺寸: 直径1-4mm, 长度20-100mm

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