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产品型号:

EBE35A

主要特点:

1)超高真空兼容

2)蒸发温度最高可达3000℃

3)精确的线性推进:0.01mm精确度,25mm行程,专利设计

4)专利设计内置挡板,不受空间限制完全打开

5)可靠的束流监控,有效避免外界电磁场影响

6)填料方便快速

主要应用:

MBE系统

蒸发难熔金属:Mo, Nb, Ta, W, Zr等

半导体材料:Si, Ge等


技术参数:

E-Beam蒸发源尺寸标注_副本.jpg

1)烘烤温度: 200℃

2)腔内直径: 34mm

3)腔内长度: 210 mm标准长度, 170mm-400mm 可选长度

4)源数量: 1

5)样品类型:  棒材,颗粒,粉末(可供坩埚)

6)冷却方式: 内部水冷, 1L/min

7)束流监控范围: 0.1nA-1mA

8)灯丝电流: 0-7A (10mA step)

9)加速电压: 0-2500V

10)最大功率: 250W

11)束流发散度: ±6°

12)蒸发温度: >3000℃

13)坩埚尺寸: 0.1cc, 0.15cc

14)坩埚材料: W, Mo, Ta

15)棒材尺寸: 直径1-4 mm, 长度20-100mm

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